型号:

SI1032X-T1-E3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SI1032X-T1-E3 PDF
产品目录绘图 SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 5 欧姆 @ 200mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 0.75nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds -
功率 - 最大 300mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-89,SOT-490
供应商设备封装 SC-89-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 SI1032X-T1-E3TR
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SI1032R-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 140MA SC-75A
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